Моделирование нанотранзисторов в TCAD Sentaurus

Моделирование нанотранзисторов в TCAD Sentaurus

Калинин С.В., Черкаев А.С. и др.
როგორ მოგეწონათ ეს წიგნი?
როგორი ხარისხისაა ეს ფაილი?
ჩატვირთეთ, ხარისხის შესაფასებლად
როგორი ხარისხისაა ჩატვირთული ფაილი?
Методическое руководство к лабораторному практикуму. - Новосибирск, НГТУ, 2010. - 104 с.Курс «Математическое моделирование и проектирование наносистем» читается в соответствии с учебным планом по направлению 210600 – «Нанотехнология» в 8 семестре. Методическое руководство содержит описания четырех лабораторных работ по курсу. Изложенные в руководстве материалы будут полезны студентам и аспирантам всех форм обучения.Моделирование технологических параметров нанопереходов на базе основных оболочек и подсистем TCAD Sentaurus
Технологическое моделирование двумерной структуры моп-нанотранзисторов на напряженном кремнии
Сквозное моделирование электрофизических характеристик кремниевых полупроводниковых структур в TCAD Sentaurus
Моделирование электрофизических параметров и характеристик НENT-структур в TCAD Sentaurus
კატეგორია:
ენა:
russian
ფაილი:
PDF, 2.47 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
russian0
ონლაინ წაკითხვა
ხორციელდება კონვერტაციის -ში
კონვერტაციის -ში ვერ მოხერხდა

საკვანძო ფრაზები